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单P-MOS

CST10P06 TO252

    CST10P06是BVDSS=-60V,RDSON=100mΩ,ID=-10A的P沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST10P06是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST10P06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
    CST10P06 描述:
        CST10P06是BVDSS=-60V,RDSON=100mΩ,ID=-10A的P沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST10P06是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST10P06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。

    CST10P06 特点:
    超低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST10P06 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -60V

    100

    -10A


    CST10P06 TO252 引脚配置:
    CST10P06 TO252-4R封装信息:
    CST10P06 TO-252-4R卷盘规格:
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