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单P-MOS

CST3415E SOT23

    CST3415E是BVDSS=-20V,RDSON=29mΩ,ID=-5.0A的P沟道快速切换Mosfet。提供SOT23封装。
    CST3415E是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST3415E符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。ESD额定值:2500V HBM
    CST3415E描述:
        CST3415E是BVDSS=-20V,RDSON=29mΩ,ID=-5.0A的P沟道快速切换Mosfet。提供SOT23封装。
        CST3415E是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST3415E符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。ESD额定值:2500V HBM

    CST3415E特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST3415E产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -20V

    29

    -5.0A


    CST3415E SOT23引脚配置:
    CST3415E SOT23封装信息:

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