CST30P10D 描述:
CST30P10D是BVDSS=-30V,RDSON=19mΩ,ID=-10A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
CST30P10D是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST30P10D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
CST30P10D 特点:
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST30P10D 产品概述:
BVDSS
|
RDSON
|
ID
|
-30V |
19mΩ |
-10A |
CST30P10D DFN2020-6L 引脚配置:
CST30P10D 测试电路:
CST30P10D DFN2020-6L 包装信息: