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单N-MOS

CST60N04N TO252

    CST60N04N是BVDSS=40V,RDSON=7.0mΩ,ID=68A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST60N04N是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST60N04N符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。
    CST60N04N 说明:
        CST60N04N是BVDSS=40V,RDSON=7.0mΩ,ID=68A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST60N04N是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST60N04N符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。

    CST60N04N 特点:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST60N04N 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    40V

    7.0

    68A


    CST60N04N TO252 引脚配置:
    CST60N04N TO-252封装信息:
    CST60N04N TO-252卷盘规格:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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