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单N-MOS

CST20N06Z TO251

    CST20N06Z是BVDSS=60V,RDSON=25mΩ,ID=20A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO251封装。
    CST20N06Z是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST20N06Z符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST20N06Z 描述:
        CST20N06Z是BVDSS=60V,RDSON=25mΩ,ID=20A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO251封装。
        CST20N06Z是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST20N06Z符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST20N06Z 特点:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST20N06Z 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    25

    20A


    CST20N06Z TO251 引脚配置:

    CST20N06Z 典型特征:


    CST20N06Z TO-251封装信息:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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