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单N-MOS

CST65N06 TO252

    CST65N06是BVDSS=60V,RDSON=6.8mΩ,ID=65A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST65N06是高单元密度沟槽N沟MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST65N06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
    CST65N06 描述:
        CST65N06 是BVDSS=60V,RDSON=6.8mΩ,ID=65A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST65N06是高单元密度沟槽N沟MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST65N06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。

    CST65N06 特点:
    超低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST65N06 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    6.8

    65A


    CST65N06 TO252 引脚配置:
    CST65N06 测试电路:


    CST65N06 TO-252-4R包装数据:
    CST65N06 TO-252-4R卷盘规格:
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