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单N-MOS

CST50N10L TO-252

    CST50N10L是BVDSS=100V,RDSON=14mΩ,ID=55A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO-252封装。
    CST50N10L是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST50N10L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。
    CST50N10L 描述:
        CST50N10L是BVDSS=100V,RDSON=14mΩ,ID=55A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO-252封装。
        CST50N10L是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST50N10L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到认可。

    CST50N10L 特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST50N10L 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    100V

    14

    55A


    CST50N10L TO252 引脚配置:
    CST50N10L 测试电路:
    1)EAS测试电路
    2)栅极充电测试电路
    3)开关时间测试电路
    CST50N10L TO-252包装数据:
    CST50N10L TO-252-4R卷盘规格:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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