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单N-MOS

CST15N12 TO252

    CST15N12是BVDSS=120V,RDSON=120mΩ,ID=15A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST15N12是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST15N12符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST15N12 描述:
        CST15N12是BVDSS=120V,RDSON=120mΩ,ID=15A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST15N12是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST15N12符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST15N12 特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST15V12 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    120V

    120

    15A


    CST15N12 TO252 引脚配置:
    CST15N12 测试电路:


    CST15N12 TO-252
    包装数据:
    CST15N12 TO-252-4R卷盘规格:
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