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单N-MOS

PES230N10K TO-252-2L

    PES230N10K是VDS=100V, ID=50A,RDS(ON)<23mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源MOSFET。提供TO-252-2L封装。
    PES230N10K采用深沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可以用于各种各样的应用。
    PES230N10K 描述:
        PES230N10K是VDS=100V, ID=50A,RDS(ON)<23mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源MOSFET。提供TO-252-2L封装。
        PES230N10K采用深沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可以用于各种各样的应用。

    PES230N10K 一般特性:
    VDS=100V, ID=50A
    RDS(ON)<23mΩ @VGS=10V
    RDS(ON)<33mΩ @VGS=4.5V
    高功率和电流处理能力
    获得无铅产品
    表面安装组件

    PES230N10K 应用:
    高频开关
    同步整流


    PES230N10K 开关测试电路:
    PES230N10K 开关波形:
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