HYG350N06LA1D/U/V TO-252-2L,TO-252-2L,TO-251-3L,TO-251-3S-矽源特科技ChipSourceTek-音频功放,马达驱动,Mosfet,充电管理,锂保,触摸,LDO,升降压,AC-DC,PD协议,MCU,5G开关,移动电源,微波雷达,

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HYG350N06LA1D/U/V是VDS=60V,ID=26A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=37mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N通道增强模式Mosfet。

HYG350N06LA1D/U/V Description/概述：

HYG350N06LA1D/U/V是VDS=60V,ID=26A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=10V,RDS(ON)=37mΩ(typ.)@VGS=4.5V的N通道增强模式Mosfet。

HYG350N06LA1D/U/V Feature/特性：

60V/26A

RDS(ON)= 30mΩ(typ.)@VGS = 10V

RDS(ON)= 37mΩ(typ.)@VGS = 4.5V

100% Avalanche Tested

Reliable and Rugged

Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)

HYG350N06LA1D/U/V Applications：

Power Management for DC/DC

Switching application

Motor control

HYG350N06LA1D/U/V Pin Description：

HYG350N06LA1D/U/V Avalanche Test Circuit：

HYG350N06LA1D/U/V Device Per Unit：