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N+P-MOS

CST20G04 SOT23-6L

    CST20G04是N-ch:BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A;P-ch:BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
    CST20G04是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST20G04符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
    CST20G04 描述:
        CST20G04是N-ch:BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A;P-ch:BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
        CST20G04是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST20G04符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。

    CST20G04 特点:
    先进的高细胞密度挖沟技术
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    绿色设备可用

    CST20G04 应用:
    半桥和逆变器的功率管理
    DC-DC转换器
    负载开关

    CST20G04 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    20V

    22

    5A

    -20V

    55

    -3.6A


    CST20G04 SOT 23-6L 引脚配置:
    CST20G04 SOT23-6L封装信息:
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