CST6G03L概述:
CST6G03L是N-Ch:BVDSS=30V, RDSON=18mΩ,ID=6A;P-Ch:BVDSS=-30V, RDSON=36mΩID=-6A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
CST6G03L是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST6G03L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
CST6G03L特点:
* 先进的高细胞密度沟槽技术
* 超低栅极电荷
* 出色的CdV/dt效应下降
* 100%EAS保证
* 绿色设备可用
CST6G03L应用:
* 半桥和逆变器的功率管理
* DC-DC转换器
* 负载开关
CST6G03L产品概述:
BVDSS
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RDSON
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ID
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30V |
18mΩ |
6A |
-30V
|
36mΩ |
-6A
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CST6G03L SOT23-6L引脚配置:
CST6G03L SOT23-6L 封装信息: