NY8AE51D概述：
NY8AE51D是以MTP作为程式内存, 并以EEPROM作为资料内存的 8 位元微控制器，特别适合断电后还需保持 资料内容的IO产品的应用，例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。而MTP作为程式内存能更方便且有 效率的开发产品。NY8AE51D核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 60 条指令。除了少 数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即能完成，可以让使用者轻松地以程控完成不同的应用。因此非 常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
在I/O的资源方面，NY8AE51D有 6 根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一 个I/O脚位都有附加的程控功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。此外针对红外线摇控的产品方 面，NY8AE51D内建了可选择频率的红外载波发射口。
NY8AE51D有两组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8AE51D提供 3 组 10 位元分辨率的PWM输出及一组蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。
NY8AE51D采用双时钟机制，高速振荡或者低速振荡都由内部RC振荡输入。在双时钟机制下，NY8AE51D可选择多 种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省 电力消耗延长电池寿命。
在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒NY8AE51D进 入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。
NY8AE51D特性：
宽广的工作电压：(指令周期为 4 个CPU clock，亦即 4T模式)
2.4V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。
宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。
1Kx14 bits MTP。
64 bytes SRAM。
64 bytes EEPROM。
6 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。
PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。
PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。
8 层程式堆栈(Stack)。
存取资料有直接或间接定址模式。
一组 8 位元上数计时器(Timer0)包含可程式化的频率预除线路。
一组 10 位元下数计时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
一组 10 位元下数计时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
三个 10 位元的脉冲宽度调变输出(PWM1/2/3)。
一个蜂鸣器输出(BZ1)。
38/57KHz红外线载波频率可供选择，同时载波之极性也可以根据数据作选择。
内建上电复位电路(POR)。
内建上电复位电路(POR)。
内建低压复位功能(LVR)。
内建 16.段低电压侦测功能(LVD)。
内建看门狗计时(WDT)，可由程式固件控制开关。
双时钟机制，系统可以随时切换高速振荡或者低速振荡。
高速振荡: I_HRC (1~20MHz内部高速RC振荡)
低速振荡: I_LRC (内部 32KHz低速RC振荡)
四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与 睡眠模式(Halt mode)。
七种硬件中断：
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
EEPROM写入完成中断。
NY8AE51D在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断：
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
NY8AE51D在睡眠模式(Halt mode)下的三种唤醒中断：
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
NY8AE51D提供两种电流档位(Small / Normal)
NY8AE51D Block Diagram:
NY8AE51D Pin Assignment
NY8AE51D provides three kinds of package type which are SOP8 and SOT23-6.
NY8AE51D Pin Description:
NY8AE51D Pin Description:
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