ME2169概述：
ME2169是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。
由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。
另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为100mV±10%，因此可减少在RSENSE端产生的损耗。
ME2169外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且，采用了小型的SOT23-6封装，因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。
ME2169特点：
具有可自由设置的电流限制功能：如当设定RSENSE=50mΩ时，限流值是 2A。
占空比范围：基于PWM/PFM开关控制电路，最高可达78%(PWM模式).
工作频率：1.0MHz
基准电压：1.25V±2.0%
消耗电流低：静止时60µA(典型值)
输出电流：3A(VIN=3.6V,VOUT=5.0V，且设定限流值设定不低于3A)
软启动时间: 2 ms（典型值）
UVLO (欠压锁定) 功能：VDD<2.3V
外接元器件：电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻
ME2169应用：
移动电源、数码音响播放器
LED 照明、GPS、无绳收发机
其他携带设备
ME2169选购指南：
ME2169典型应用电路：
ME2169引脚示意图及描述：
ME2169功能示意图：
ME2169选购指南：
ME2169典型应用电路：
ME2169引脚示意图及描述：
ME2169功能示意图：
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