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单P-MOS

CST20P02M DFN2020-6L

    CST20P02M是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-20A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
    CST20P02M是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST20P02M符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
    CST20P02M 描述:
        CST20P02M是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-20A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
        CST20P02M是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST20P02M符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

    CST20P02M 特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST20P02M 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -20V

    10

    -20A


    CST20P02M DFN2020-6L 引脚配置:
    CST20P02M DFN2020-6L 包装信息:
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