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单N-MOS

PE3400

    PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,    PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。
    PE3400采用SOT23-3L
封装。适用于电池保护或其他开关应用。
     VDS = 30V,ID = 5.8A,     RDS(ON) < 59m? @ VGS=2.5V,RDS(ON) < 45m? @ VGS=4.5V,RDS(ON) < 41m? @ VGS=10V
     丝印:3400

    PE3400概述
        PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。
        PE3400采用SOT23-3L
    封装。适用于电池保护或其他开关应用。
        PE3400的丝印是3400。


    PE3400特性
    VDS = 30V,ID = 5.8A
    RDS(ON) < 59m? @ VGS=2.5V
    RDS(ON) < 45m? @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 41m? @ VGS=10V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package


    PE3400应用
    PWM applications
    Load switch
    Power management 


    PE3400典型应用及引脚配置

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