服务热线: 13823761625

产品中心

联系我们

当前位置:网站首页 >> 产品中心 >> Mosfet >> 单N-MOS

单N-MOS

PED30D12MT PDFN3.3x3.3-8L

    PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
    PED30D12MT采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
    PED30D12MT 描述:
        PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A,RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
        PED30D12MT采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。

    PED30D12MT 一般功能:
    VDS=30V, ID=12A 
    RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V 
    RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V 
    高功率和电流处理能力
    获得无铅产品
    表面安装组件

    PED30D12MT 应用:
    PWM应用
    负载开关
    电源管理

    PED30D12MT 测试电路:
    PED30D12MT PDFN3.3x3.3-8L 包装信息:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

    *

    *

    *

    *

相关产品