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N+P-MOS

CST10G04S SOP8

    CST10G04S是N-Ch:BVDSS=40V,RDSON=17mΩ,ID=10A;P-Ch:BVDSS=-40V,RDSON=34mΩ,ID=-10A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
    CST10G04S是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST10G04S符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
    CST10G04S 描述:
        CST10G04S是N-Ch:BVDSS=40V,RDSON=17mΩ,ID=10A;P-Ch:BVDSS=-40V,RDSON=34mΩ,ID=-10A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
        CST10G04S是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST10G04S符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

    CST10G04S 特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST10G04S 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    40V

    17

    10A

    -40V

    34

    -10A


    CST10G04S SOP8 引脚配置:
    CST10G04S 测试电路-N:


    CST10G04S 测试电路-P:
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