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N+P-MOS

CST6G03L SOT23-6L

    CST6G03L是N-Ch:BVDSS=30V, RDSON=18mΩ,ID=6A;P-Ch:BVDSS=-30V, RDSON=36mΩ,ID=-6A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
    CST6G03L是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST6G03L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST6G03L概述:
        CST6G03L是N-Ch:BVDSS=30V, RDSON=18mΩ,ID=6A;P-Ch:BVDSS=-30V, RDSON=36mΩID=-6A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
        CST6G03L是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST6G03L符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST6G03L特点:
    * 先进的高细胞密度沟槽技术
    * 超低栅极电荷
    * 出色的CdV/dt效应下降
    * 100%EAS保证
    * 绿色设备可用

    CST6G03L应用:
    * 半桥和逆变器的功率管理
    * DC-DC转换器
    * 负载开关

    CST6G03L产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    18

    6A

    -30V

    36

    -6A

    CST6G03L SOT23-6L引脚配置:
    CST6G03L SOT23-6L 封装信息:
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