PE8330CG是N-Ch：VDS=30V, ID=30A,RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V;P-Ch：VDS=-30V, ID=-30A,RDS(ON)<22mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<30mΩ@VGS=-4.5V的N+P双通道增强模式电源Mosfet。提供DFN5x6-8L封装。

    PE8330CG采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。可用于各种应用。