CST83G30F概述:
CST83G30F是N-Channel：VDS=30V, ID=30A，RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V；P-Channel：VDS=-30V, ID=-30A，RDS(ON)<22mΩ@VGS=-10V，RDS(ON)<30mΩ@VGS=-4.5V的N+P双通道增强模式电源Mosfet。提供DFN5x6-8L封装。
CST83G30F采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。它可以用于各种应用。
CST83G30F一般功能:
* N-Ch
* VDS=30V, ID=30A
RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V
* P-Ch
* VDS=-30V, ID=-30A
RDS(ON)<22mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)<30mΩ@VGS=-4.5V
*高功率和电流处理能力
*获得无铅产品
*表面安装组件
CST83G30F应用:
*直流电动机
*PWM应用
CST83G30F DFN5x6-8L包装信息:
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