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Lithium battery protection chip

DV6268-G2J

    DV6268-G2J是采用高耐压 CMOS 工艺,内置高精度电压检测电路和延时电路,用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护
IC。可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。
    DV6268-G2J概述:
        DV6268-G2J 是采用高耐压 CMOS 工艺,内置高精度电压检测电路和延时电路,用于 1 节锂离子/聚合物可充电电池的保护
    IC。可对 1 节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。

    DV6268-G2J特性:
    (1)各种检测、释放电压参数及精度
        过充电检测电压              4.325V    精度±25mV(Ta=25°C)
                                                               精度±30mV(Ta=-5~+60°C)
        过充电释放电压             4.080V     精度±50mV
        过放电检测电压             2.500V     精度±50mV
        过放电释放电压             2.900V     精度±50mV
        放电过电流检测电压     150mV      精度±15mV
        充电过电流检测电压     -100mV     精度±20mV
        短路检测电压                0.55V        精度±100mV
        (2)各种检测延迟时间功能仅通过内置电路可实现(不需要外接电容)
        (3)充电器连接端子采用高耐压器件(CS 端绝对最大额定值 40V)
        (4)0 V 电池充电的功能 禁止
        (5)休眠功能 有
        (6)工作温度范围广 Ta=-40°C ~ +85°C
        (7)消耗电流低
           工作时   3.0μA(典型值),6.0μA(最大值)(Ta=+25°C)
           休眠时   0.1μA(最大值)(Ta=+25°C)
        (8) 无卤绿色环保封装

    DV6268-G2J应用:
    单节锂离子可充电电池组
    单节锂聚合物可充电电池组

    DV6268-G2J封装:
    SOT-23-6

    DV6268-G2J内部框图:

    DV6268-G2J引脚排列示意图:

    DV6268-G2J电池保护 IC 的典型应用原理图:
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