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CLASS AB/D Switchable Power Amplifier

LTK5129

  LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
  LTK5129工作电压2.5V-5.5V。
  LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
  LTK5129采用ESOP-8封装。
    LTK5129概述:
      LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
      LTK5129通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V,在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率,新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器,从而节省了系统成本和PCB空间,是便携式应用的理想选择。
      LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
      LTK5129采用ESOP-8封装。


    LTK5129特点:
    无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和低 EMI
    FM 模式无干扰
    优异的爆破声抑制电路
    低底噪、低失真
    DRC 动态失真矫正电路
    10% THD+N,VDD=5V,4Ω 负载下,提供高达 3.3W 的输出功率
    10% THD+N,VDD=5V,2Ω 负载下,提供高达 5.5W 的输出功率
    短路电流保护
    欠压保护
    关断电流 < 0.5uA
    LTK5129多种功率封装模式: ESOP-8
    过热保护


    LTK5129应用:
    蓝牙音箱
    拉杆音箱
    USB 音响
    视频机
    扩音器等


    LTK5129典型应用电路:


    LTK5129功放电路管脚图:


    LTK5129
    管脚功能描述:



    LTK5129原理框图:


    LTK5129 最大额定值(TA=25℃)
    参数名称 符号 数值 单位
    工作电压 Vcc 6.0 V
    存储温度 Tstg -65℃-150℃
    输入电压 -0.3 to +(0.3+ Vcc) V
    功率消耗 PD 见附注1 W
    结温度 160℃
    附注1:最大功耗取决于三个因素:TJMAX,TA,θJA,它的计算公式PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA,LTK5129的TJMA=150℃。TA为外部环境的温度,θJA取决于不同的封装形式。


    LTK5129 电气参数


    LTK5129 CLASS D 模式:


    1)静态电气参数
    MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
    VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
    IDD 静态电源电流 MODE=VDD;VDD=5V,IO=0A 2 5 8 mA
    ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
    FSW 振荡频率 VDD=2.5V 到 5.5V 480 kHz
    Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
    η 效率   THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω; 87 %
    THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω; 90
    OTP 过温保护 155
    RDSON 静态导通电阻 IDS=0.5A  VGS=5V P_MOSFET 180
    N_MOSFET 140
     
    2)动态电气参数
     MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
     
     
    Po
     
     
     
    输出功率
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 3.3  
    W
    VDD=3.6V 2.4
    VDD=3V 1.8
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.6  
    W
    VDD=3.6V 1.8
    VDD=3V 1.2
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 5.4 5.5  
    W
    VDD=3.6V 3.3 3.5
    VDD=3V 2.4 2.6
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.8 4.9  
    W
    VDD=3.6V 2.9 3
    VDD=3V 1.4 1.5
    THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.12  
    %
    VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.1
    VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.12
    VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.1
    PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
    RL=8Ω, CB=2.2µF
    64 dB
    SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 85 dB
     
    LTK5129 CLASS AB 模式(ESOP-8封装)

    1)静态电气参数
    MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
    VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
    IDD 静态电源电流 VDD=5V,IO=0A 6 10 14 mA
    ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
    Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
    OTP 过温保护 155
       
     
    2)动态电气参数
     MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
     
     
    Po
     
     
     
    输出功率
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 3.3  
    W
    VDD=3.6V 2.4
    VDD=3V 1.8
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.6  
    W
    VDD=3.6V 1.8
    VDD=3V 1.2
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 5.4 5.5  
    W
    VDD=3.6V 3.3 3.5
    VDD=3V 2.4 2.6
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.8 4.9  
    W
    VDD=3.6V 2.9 3
    VDD=3V 1.4 1.5
    THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.18  
    %
    VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.15
    VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.15
    VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.12
    PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
    RL=8Ω, CB=2.2µF
    69 dB
    SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 82 dB
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