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双N-MOS

CST8810B TSSOP8

    CST8810B是BVDSS=20V,RDSON=13.5mΩ,ID=7A的双N-Ch快速切换Mosfet。提供TSSOP8封装。
    CST8810B是具有强大ESD保护的低RDSON沟槽N-CH Mosfet。该产品适用于锂离子电池组应用。
    CST8810B符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。
    CST8810B 描述:
        CST8810B是BVDSS=20V,RDSON=13.5mΩ,ID=7A的双N-Ch快速切换Mosfet。提供TSSOP8封装。
        CST8810B是具有强大ESD保护的低RDSON沟槽N-CH Mosfet。该产品适用于锂离子电池组应用。
        CST8810B符合RoHS和绿色产品的要求,并通过了全功能可靠性认证。

    CST8810B 特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST8810B 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    20V

    13.5

    7A


    CST8810B TSSOP8 引脚配置:
    CST8810B 测试电路:


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