服务热线: 13823761625

产品中心

联系我们

当前位置:网站首页 >> 产品中心 >> Mosfet >> 双N-MOS

双N-MOS

MX8205S SOT23-6L

    MX8205S采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低门电荷。它可以用于多种应用中。
    The MX8205S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    MX8205S概述:
        MX8205S采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低门电荷。它可以用于多种应用中。
        The MX8205S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    MX8205S特性:
    VDS=20V, ID=5A
    RDS(ON)(Typ.)=19mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON)(Typ.)=20mΩ @ VGS=3.9V
    RDS(ON)(Typ.)=30mΩ @ VGS=2.5V
    Surface Mount Package
    Advanced trench cell design

    MX8205S应用:
    Battery protection
    Load switch

    MX8205S引脚配置:
    MX8205S订购信息:
    Part Number
    StorageTemperature
    Package
    Devices Per Reel
    MX8205S
    -55°C to 150°C
    SOT23-6L
    -
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

    *

    *

    *

    *

相关产品