什么是IGBT？IGBT的原理

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。

    与MOSFET相比，IGBT具有更低的驱动电压和更高的开关速度，而且具有双极型晶体管的正向导通能力，因此可以承受更高的电流和电压。同时，IGBT也集成了MOSFET的绝缘栅控制功能，可以实现更安全和可靠的控制。

    IGBT通常由一个PN结和一个N沟道组成，具有三个端口：集电极、发射极和栅极。当栅极施加正向电压时，会形成一个PNP型结构，使集电极和发射极之间的PN结极化，从而导通。当栅极不再施加正向电压时，PNP结会恢复为开路状态，IGBT停止导通。