国际IDM率先将车用MOSFET、IGBT迁至12英寸产线

    2月21日消息，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。

   《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元（合8.694亿美元），扩大其12英寸汽车电源模块fab产能。英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案，具有高毛利率和技术门槛。