PE3400 N channel enhanced power MOSFETGO function description

    PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。
    PE3400采用SOT23-3L封装。适用于电池保护或其他开关应用。
    PE3400的丝印是3400。
    PE3400应用于PWM applications、Load switch、Power management 

PE3400特性指标为：
VDS = 30V,ID = 5.8A
RDS(ON) < 59m? @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 45m? @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 41m? @ VGS=10V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package