CST618概述:
CST618为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从 2V 到 9.6V）， 最大持续输出电流达到 1.8A，最大峰值输出电流达到 3.5A。
低待机电流 (小于 0.1uA)；
低静态工作电流；
集成的 H 桥驱动电路；
内置防共态导通电路；
低导通内阻的功率 MOSFET 管；
内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)；
抗静电等级：3KV (HBM)。
CST618产品应用
2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动；
2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动；
1-2 节锂电池供电的马达驱动
CST618订购信息:
特别注意事项：
图 1 中的功率电源 VDD 对地去耦电容(C1)容值应根据具体的应用调整，VDD 电压越高，输出峰值电流越大，
C1 取值越大,但是电容 C1 的取值至少需要 4.7uF。在高压、大电流的应用条件下建议电容 C1 取值 100uF。
逻辑电源 VCC 对地电容 C2 必须至少需要 4.7uF，实际应用时不需要靠近芯片单独添加一个电容，可以与其
它控制芯片(RX2、MCU)等共用。如果 VCC 对地没有任何电容，当电路因过载进入过热保护模式后，电路可能会
进入锁定状态。进入锁定状态后，必须重新改变一次输入信号的状态，电路才能恢复正常。只要 VCC 对地有超过
4.7uF 电容，电路就不会出现锁定状态。
图 1 中驱动电路 OUTA 与 OUTB 之间的 0.1uF 电容(C3)是表示接在马达两端的电容，不需要单独添加。
如图 2 所示的马达驱动应用线路图，转向马达驱动电流较小，可以选择 MX608 或者 MX612。
图 2 中的 VDD 对地去耦电容应根据实际使用情况选择容值。VDD 电压越高，马达电流越大，电容容值越大。
电容必须大于 4.7uF。
图 2 中驱动电路 OUTA 与 OUTB 之间的 0.1uF 电容是表示接在马达两端的电容，不需要单独添加。
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