则解得驱动电阻Rgoff=Rg1的取值范围

总结：
    在实际设计中，我们就可以根据理论公式，以避免驱动电流不发生震荡为条件计算出Rg1+Rg2的下限范围，以避免关断误导通为条件得出驱动上限值即得到Rg1的取值范围。
    然后再根据实际的实验在考虑损耗、EMI、以及应用在桥式拓扑中的死区控制等优化方向上，不断调试出想要特性参数。那么，通过基本的分析后，我们也得出一个MOS驱动电路设计的大方向；一个好的MOSFET驱动电路应当有以下几点要求：
   （1） 导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
   （2） 开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
   （3） 关断瞬间驱动电路要提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断，同时可以提供负压以避免干扰和误导通。
   （4） 驱动电路结构简单可靠、损耗小，还要根据情况隔离。