1.物理特性
MOS管分为N沟道和P沟道的形式,N沟道和P沟道都有增强型和耗尽型两种。耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效；不易被控制，使得其应用极少。

2.导通特性
如上图所示，我们使用增强型MOS作为讲解示例。当我们使用nmos时，只需要满足Vgs>Vth时即可导通。Vth是mos管栅极阈值电压，一般为3v。
当我们使用Pmos时，PMOS的特性是，VGS小于一定的值(3V以上)就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

3.类型选择
我们在使用MOS管时可以根据不同的需求来选择不同型号的MOS管。如果我们需要使用MOS管承受大功率，那么中低压MOS管是我们最佳的选择。如果我们想要使用MOS管代替三极管最为开关管，并且要求极高的相应速度，那么高压MOS管不失为明智的选择。具体种类MOS管对应的特性如下表所示。