CST6307订购信息:
CST6307应用电路:
CST6307引脚示意图及引脚说明:
CST6307桥接控制和衰减模式
输出管脚AOUTx和BOUTx状态是由输入管脚AINx和BINx来进行控制,下面图表(H桥控制逻辑表)列出了输入对应输出状态说明:
CST6307通过输出入逻辑信号(IN1 IN2)使用PWM方式来控制电机调速功能。当打开高侧的MOSFET时,电机绕组的感应电流会持续上升,如果关闭高侧的MOSFET时,绕组的感应电流会产生续流电流。为合理处理电机线圈的电流,H桥有两种不同的工作状态模式,快速衰减和慢速衰减,在快衰减模式下,CST6307内部H桥关断,续流电流流向体二极管,在慢衰减模式中,电机的电流会在两个低侧MOSFET之间循环。
快速衰减模式下,从外部输入PWM调制信号时,PWM信号在一边的IN1输入,另外一边为低;而在慢速衰减模式下,一边的IN2输入,另外一边需要为高,如表(PWM控制马达驱动逻辑表)所示。
当PWM输入到IN1时,内部电流控制仍然是打开状态,ISEN脚位直接连接到GND时,可以关闭电流控制。图(驱动和衰减模式)说明了电流在不同驱动下的衰减模式。
CST6307电流控制
CST6307通过模拟输入管脚VREF和外接ISEN的电阻,按照下面公式计算来限制电流值:
例如,如果VREF=3.3V并且RISEN=0.15Ω,CST6307不管在什么样的负载情况下都会限制电机驱动到2.2A的电流。
当到达ITRIP电平时,器件通过打开底边的两个FETs,来强制电流衰减,并且会关闭tOFF(典型值25uS)。
一旦tOFF时间到,输入会重新使能,根据两个输入的状态进行工作。驱动时间tDRVIE到达ITRIP的时间和VM电压、驱动电感等因素有关。
CST6307 nSLEEP休眠模式控制
当IN1和IN2同时为低持续tSLEEP(典型值1mS),CST6307将进入低功耗模式,当IN1或IN2为高至少5uS,器件才会在tON(典型值50uS)后进入工作状态。
CST6307保护电路 CST6307包含了过流保护(OCP)、过温保护(TSD)和欠压保护UVLO。
过流保护(OCP)高侧和低侧MOSFETs均会独立检测过流情况,也就是说,接地短路、电源短路或电机绕组两端短路都将导致过电流关断。过电流保护不使用用于PWM电流控制的电流检测电路,因此即使没有ISEN电阻,也能正常工作。
过温保护(TSD) 如果芯片温度超过安全阈值,H桥中的所有MOSFETs都将被禁用,一旦温度恢复下降到安全设置水平,操作将自动恢复。
欠压保护(ULVO) 如驱动和衰减模式表.所示,如果VM电压在任何时候低于欠压锁定阈值电压,则芯片被禁用,所有内部逻辑将被复位。当VM上升到UVLO以上时,操作将恢复。
CST6307 电源选择指南
在电机驱动系统设计中,适当大容量电容配置是重要因素。一般电容越大越有利于系统的安全和稳定,而缺点是成本和物理尺寸的增加。电容的取值有多种因素决定,包括:
电机系统所需的最大电流
电容提供电流的能力
电源和电机系统之间的寄生电感量
可接受的电压纹波
使用的电机类型(有刷、无刷和步进)
电机制动方式
如图所示,电源和电动机驱动系统之间的电感限制了电流从电源获得的速率。如果本地大容量电容太小,则系统在响应过快和过多电流变化时,会导致电压的降低。当使用足够大的电容时,电动机电压才能保持稳定,从而快速提供大电流。数据表通常提供一个推荐值,但是需要整个系统级测试才能确定合适的电容。
大容量电容器的额定电压应高于工作电压,留出一定裕量来防止出现电动机将能量反过来传递到电源的情况发生,从而避免损坏。
CST6307极根工作参数:
CST6307工作条件:
CST6307功能框图:
CST6307 Esop8封装信息: