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CST8250

    CST8250是一款 2*8.0W  的双声道 AB/D 类立体声音频功放放大器。
    CST8250能实现耳机模式和功放模式切换,当芯片切换到耳机模式时芯片内部电路可以驱动立体声耳机工作,切换功放模式可以立体声音箱工作。
    CST8250同时具有一线脉冲功能,可控制单个管脚使芯片进入D类、AB类模式、关断模式,达到节省IO口的目的.
     CST8250提供带散热片的eSOP10封装。

CST8250概述:

CST8250是一款 2*8.0W  的双声道 AB/D 类立体声音频功放放大器。

CST8250的单端输入架构和极高的PSRR有效地提高了CST8250RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB 面积和系统成本,并简化了设计。高达90%的效率,快速 地启动时间和纤小的封装尺寸使得CST8250成为便携式音频产品的最佳选择。CST8250独有的DRCDynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。

CST8250能实现耳机模式和功放模式切换,当芯片切换到耳机模式时芯片内部电路可以驱动立体声耳机工作,切换功放模式可以立体声音箱工作。

CST8250同时具有一线脉冲功能,可控制单个管脚使芯片进入D类、AB类模式、关断模式,达到节省IO口的目的,CST8250 AB类模式可以完全消除EMI干扰。CST8250最高耐压可达 7.0 V

CST8250具有极低的关断电流,极大的延长系统的待 机时间。OCPOTPUVLO保护功能增强系统的可 靠性。开启、关闭POP-click抑制功能改善了系统的听觉感受,同时简化系统调试。

CST8250提供带散热片的eSOP10封装。


CST8250特性:

CST8250 输出功率:

2*8.0W (VDD=7.0V, RL=3Ω+15UH THD+N=10%)

2*6.6W (VDD=7.0V, RL=4Ω+33UH THD+N=10%)

工作电压:2.8V to 7.0V

低失真和低噪声

FM模式无干扰

自带耳机切换模式

一线脉冲控制

开启、关闭POP-click抑制功能

关断电流(<1uA

OCP、OTPUVLO保护功能

CST8250提供eSOP10封装

 

CST8250应用:

安防监控系统

故事机设备

智能门锁应用

便携式音频设备

扩音器

插卡音箱、蓝牙市音箱,USB音箱

 

CST8250订购说明:

Part No.

Package

Mark*

Tape/Reel

CST8250

eSOP10

CST-LOGO-CST8250

XXXXXX

4000/

CST8250典型应用原理图:


CST8250引脚示意图及引脚说明:


Number

Name

I/O

Pin Descripation

1

PVDD

I

电源正端

2

INL

I

左通道输入

 3

HP

I

耳机/音箱模式控制,高电平为耳机模式,低电平为音箱模式

4

INR

I

右通道输入

5

BYPASS

I

内部模拟基准源,接旁路电容下地


6

EN

I

芯片关断控制,低电平关断,高电平为打开。

7

OUTNR

O

右通道反向输出

8

OUTPR

O

右通道正向输出

9

OUTPL

O

左通道正向输出

10

OUTNR

O

左通道反向输出

11

GND

GND

芯片底部露铜接地端,电源负端


CST8250 ESD信息:

参数

符号

数值

单位

人体静电

HBM

   ±2000

V

机器模型静电

CDM

   ±300

V


CST8250推荐工作条件:

参数

符号

数值

单位

供电电压

VDD

     3-6.7V

V

工作环境温度

TSTG

   -40℃ to 85

结温度

TJ

     -

 

CST8250电气特性: AV=20dB, TA=25℃,无特殊说明的项目均是在VDD=5V,4Ω+33uH条件下测试:

描述

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

静态电流

IDD

VDD =5V,D

-

18

23

mA

VDD =5VAB

 

20

24

mA

关断电流

ISHDN

VDD=3V to 5 V

-

1

 

uA

静态底噪

Vn

VDD=5V ,AV=20DB,Awting

 

130

 

uV

D类频率

FSW

VDD=5V

 

750

 

kHz

输出失调电压

Vos

VIN=0V

 

10

 

mV

启动时间

Tstart

Vdd=5VBypass=1uF

 

170

 

ms

增益

Av

D类模式,RIN=27k

 

≈20.5

 

dB

电源关闭电压

VddEN

EN=1

 

<1.6

 

V

电源开启电压

Vddopen

EN=1

 

>2.8

 

V

EN关断电压

VENEN

 

 

<0.7

 

V

EN开启电压

VENopen

 

 

>1.3

 

V

D类开启电压

MODE/D

 

 

<0.7

 

V

AB类开启电压

MODE/AB

 

 

>1.8

 

V

过温保护

OTP

            

 

180

 

静态导通电阻

RDSON

IDS=0.5A  VGS=4.2V

P_MOSFET

 

150

 

N_MOSFET

 

120

 

内置输入电阻

Rs

 

 

7.5K

 

kΩ

内置反馈电阻

Rf

 

 

185K

 

kΩ

效率

ηC

 

 

90.3

 

%


CST8250 Class-D功率: AV=20dB, TA=25℃,无特殊说明的项目均是在VDD=5V,4Ω条件下测试:

参数

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

 

输出功率

 

 

 

Po

THD+N=10%, f=1kHzRL=4Ω

VDD=7V

-

6.6

-

 

W

VDD=6V

-

4.9

-

VDD=5V

 

3.2

 

VDD=4.2V

 

2.2

 

THD+N=10%, f=1kHzRL=3Ω

VDD=7V

-

8.0

-

 

W

VDD=6V

 

5.6

 

VDD=5V

 

4.1

 

VDD=4.2V

-

2.9

-

总谐波失真加噪声

THD+N

VDD=5VPo=1W,RL=4Ω

f=1kHz

-

0.08

-

%

 

CST8250极限参数:

参数

符号

单位

供电电压

VDD

     7V(MAX)

V

存储温度

TSTG

      -65℃-150℃

结温度

TJ

     160


CST8250 性能特性曲线 特性曲线测试条件(TA=25℃)

描述

测试条件

编号

Input Amplitude VS. Output Amplitude

VDD=5V,RL=4Ω+33uH ,Class_D

1

Output Power VS. THD+N _Class_D

RL=3Ω+22uH,AV=20dB,Class_D

2

RL=4Ω+33uH,AV=20dB,Class_D

3

Output Power VS.THD+N_Class_AB

RL=4Ω,AV=20dB , Class_AB

4

Frequency VS.THD+N

VDD=5V,RL=4 Ω,AV=20dB,Po=1W,Class_D_Awting

5

Input Voltage VS.Power Crrent

VDD=3.0V-5V,Class_D

6

Input Voltage VS. Maximum Output Power

RL=4Ω+33uH,THD=10%, Class_D

7

Frequency Response

VDD=5V,RL=4Ω,Class_D

8















CST8250应用信息:

功放增益控制: D类模式时输出为(PWM信号)数字信号,其增益均可通过RIN调节。




AV为增益,通常用dB表示,上述计算结果单位为倍数、20Log倍数=dB

AV为增益,通常用DB表示,上述计算结果单位为倍数、20Log倍数=dB

RIN电阻的单位为KΩ、185KΩ为内部反馈电阻(RF, 7.5KΩ为内置串联电阻(RS,RIN由用户  根据实际供电电压、输入幅度、和失真度定义。 如RIN=27K时,=10.5倍、AV=20.4DB

输入电容(CIN)和输入电阻(RIN)组成高通滤波器,其截止频率为:



Cin电容选取较小值时,可以滤除从输入端耦合入的低频噪声,同时有助于减小开启时的POPO

EMI处理:对于输出走线较长或靠近敏感器件时,建议加上磁珠和电容,能有效减小EMI。器件靠近芯片放置



RC缓冲电路: 如喇叭负载阻抗值较小时,建议在输出端并一个电阻和一个电容来吸收电压尖峰,防止芯片工作异常。电阻推荐使用:2Ω-8Ω,电容推荐:500PF-10NF



EN管脚控制: CST8250有可以通过控制EN脚来控制AB类、D类模式切换:一线脉冲控制的好处是可以节省主控IO,仅使用一个IO口即可切换功放多种工作模式。

EN管脚软件控制(一线脉冲):EN管脚输入不同脉冲信号切换功放AB类、D类模式。

1、芯片切换到D类模式波形:


2、芯片切换到AB类模式波形:


HP模式控制:HP脚为高电平时,芯片为耳机模式,输出为单端,为低电平时,芯片为音箱模式

HP管脚

芯片状态

高电平

耳机模式

低电平

音箱模式



上图为耳机插孔示意图:

当无耳机插入时,HP脚通过R2R3分压,导致HP点电位为低电平,芯片工作在音箱音箱模式。

当耳机插入时,耳机内部短路脚分开,R2R3不再组成分压,HP为高电平,芯片进入耳机模式,输出为单端输出。

Bypass电容: Bypass电容是非常重要的,该电容的大小决定了功放芯片的开启时间,同时Bypass电容的大小会影响芯片的电源抑制比、噪声、以及POP声等重要性能。建议将该电容设置为1uF,因该Bypass的充电速度比输入信号端的充电速度越慢,POP声越小。 

过温保护: CST8250有过温保护电路以防止内部温度超过165℃时器件损坏。在不同器件之间,这个值有25℃的差异。当内部电路超过设置的保护温度时,器件进入关断状态,输出被截止。当温度下降15℃后,器件重新正常工作。

 

测试方法:在测试D类模式时必须加滤波器测试。AUX-0025为滤波器。为了测试数据精准并符合实际应用,在RL负载端串联一个电感,模拟喇叭中的寄生电感。


CST8250 PCB设计注意事项

电源供电脚(VDDPVDDLPVDDR)走线尽量粗,如电源走线中必须打过孔应使用多孔连接,并加大过孔内径,不可使用单个过孔直接将电源走线连接,电源电容和尽量靠近管脚放置。

输入电容(Cin)、输入电阻(Rin)尽量靠近功放芯片管脚放置,走线最好使用包地方式,可以有效的抑制其他信号耦合的噪声。

Bypass电容尽量靠近芯片管脚放置。

CST8250的底部散热片建议焊接在PCB板上,用于芯片散热,建议PCB使用大面积敷铜来连接芯片中间的散热片,并有一定范围的露铜,帮助芯片散热。

CST8250输出连接到喇叭的管脚走线管脚尽可能的短,并且走线宽度需在0.4mm以上

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