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MOS管的四种类型

发布日期:2024-01-20 点击次数:368
    图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的电位上。在图3.3.1给出的符号中,用D S间断开的线段表示Vcs=0时没有导电。
    沟道,即 MOS管为增强型。衬底 B 上的箭头指向 MOS管内部,表示导电沟道为N型。栅极引出端画在靠近源极一侧。
2. P沟道增强型
    图3.3.6 是 P 沟道增强型 MOS 管的结构示意图和符号。它采用 N 型衬底,导电沟道为 P型。vGS=0时不存在导电沟道,只有在栅极上加以足够大的负电压时,才能把 N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面,形成P型的导电沟道。因此,P沟道增强型 MOS管的开启电压Vcs(x)为负值。这种MOS管工作时使用负电源,同时需将衬底接源极或接至系统的电位上。
    P 沟道增强型 MOS 管的符号如图3.3.6中所示,其中衬底上指向外部的箭头表示导电沟道为 P型。 
    用P 沟道增强型 MOS 管接成的开关电路如图3.3.8所示。
    当 v =0时,MOS 管不导通,输出为低电平。VoL。只要 R 远小于 MOS管的截止内阻.RorF,则。VoL= VvD。
    当v1
1. N沟道耗尽型 
    N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同,都采用P 型衬底,导电沟道为 N型。所不同的是在耗尽VpD型 MOS 管中,栅极下面的二氧化硅绝缘层中掺进RD了一定浓度的正离子。这些正离子所形成的电场足以将衬底中的少数载流子——电子吸引到栅极下面的衬底表面,在 D-S 间形成导电沟道。因 v  i 此,在vCS=0时就已经有导电沟道存在了。vC3为增大; 为负时导电沟道 v 正时导电沟道变宽, i  vGS变窄, i 减小。
    直到  v  小于某一个负电压值VcS(eff)时,导电沟道才消失,MOS 管截止。V6S(eff)图3.3.8 用 P沟道增强型称为 N 沟道耗尽型 MOS管的夹断电压。 MOS管接成的开关电路  图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的,表示vCS=0时已有导电沟道存在。其余部分的画法和增强型 MOS 管相同。 在正常工作时,N沟道耗尽型 MOS管的衬底同样应接至源极或系统的电位上。
2. P 沟道耗尽型 
    P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同,也是 N 型衬底,导电沟道为 P 型。所不同的是在 P 沟道耗尽型 MOS管中,vcs=0时已经vCs有导电沟道存在了。当 vcs为负时导电沟道进一步加宽, i 的增加;而vCS为正时导电沟道变窄, i 的减小。当(  v  的正电压大于夹断电压Vcs(odf)时,导电沟道消失,管子截止。  
    图3.3.10 是 P 沟道耗尽型 MOS 管的符号。工作时应将它的衬底和源极相连,或将衬底接至系统的电位上。






















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