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TC2466A/TC2466AE TC2466A提供了一个集成电机驱动器的相机,消费品,玩具和其他应用与低压或电池供电的马达驱动IC。 TC2466AE可提供高达1.8A的输出直流电流, 它工作在电机电源(VM)从2到11V和设备电源电压(VCC)2V到6V。 TC2466A具有PWM(INA、INB)输入接口, 全保护与过流保护、欠压闭锁和超温停机相结合。TC2466A/TC2466AE提供ESOP和SOP8的封装。 ESOP8/SOP8 TC2466A(单通道直流马达驱动器)
JMTP170C04D JMTP170C04D是40V,N+P的MOSFET,JMTP170C04D特性:N-Channel: 40V, 10A/RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V, RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -4.5V/P-Channel: -40V, -10A/RDS(ON) < 44mΩ @ VGS = -10V,RDS(ON) < 62mΩ @ VGS = -4.5V.JMTP170C04D提供SOP8封装,丝印:170C04D。 SOP8 JMTP170C04D
TC2466H/TC2466HE TC2466H/TC2466HE单通道内置功率 MOS 全桥驱动, 驱动前进、后退、停止及刹车功能.TC2466H/TC2466HE 电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路,适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进 马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围(从 2V 到 11V), 最大持续输出电流达到 2.1A(ESOP),最大峰值输出电流达到 3.5A。TC2466H/TC2466HE 内置迟滞热效应过热保护功能容,TC2466H/TC2466HE采 用 SOP8 SOP8/ESOP-8 TC2466H
TC8301单通道正反转马达驱动器 TC8301单通道直流正反转马达驱动器,是一颗单通道内置功率MOS全桥驱动芯片,适用于电动牙刷,玩具,成人用品,车载支架.TC8301是一颗单通道内置功率MOS全桥驱动芯片,有驱动前进、后退、停止及刹车功,有内置迟滞热效应过流保护功,低导通电阻(1.6Ω),最大连续输出电流可达 1.5A峰值 2.5A ,无需外围滤波电容,TC8301提供SOP8封装 SOP8 TC8301 datasheet
MXN3388L MXN3388L是20V,8A,双N沟道MOSFET,MXN3388L是20V,8A的N沟MOSFET/RDS(ON)(Typ.)=15.5mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=10.6mΩ @ VGS=3.8V RDS(ON)(Typ.)=10mΩ @ VGS=4.5V ESD Rating: 2000V HBM/MXN3388L提供 DFN3X3-8L封装 DFN3X3-8L MXN3388L
MXT08N04T MXT08N04T 是N沟道增强型功率MOSFET,MXT08N04T 是40V,400A的N沟MOSFET/RDS(ON)(Typ.)=1.1mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON)(Typ.)=0.85mΩ @ VGS=10V/MXT08N04T 提供TOLL-8L封装 TOLL-8L MXT08N04T N管
MX2210N是单节锂电池保护芯片 MX2210N是单节锂电池保护芯片,MX2210N针对锂离子/聚合物电池保护提供了高集成解决方案。MX2210N包含内部功率MOSFET,高精度电压检测电路和延迟电路。MX2210N具有电池应用所需的所有保护功能,包括过充电、过放电、过流和负载短路保护等。准确的过充电检测电压保证了充电的安全和充分利用。低待机电流在存储时从电池中消耗很少的电流。该产品不仅适用于数字蜂窝电话,而且适用任何其他需要长期电池寿命的锂离子和锂聚合电池供电的信息设备。MX2210N需要最少数量的现成的外部组件, MX2210N提供D DFN2X2-6 MX2210N单节锂电池
MX2120双节锂电池保护芯片 MX2120内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池/锂聚合物可充电电池的保护IC。MX2120 适用于2节串联用锂离子/锂电池组的过充电、过放电、充电过流和放电过流的保护。MX2120是双节锂电池保护芯片,MX2120提供SOT23-6封装 SOT23-6 MX2120双节锂电池
MX1051是2串3串4串或者5串锂电池二次保护芯片 MX1051 是一款专为保护2串,3串,4串或者5串锂离子/聚合物电池的二次保护芯片,可降低因电池过充而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。MX1051 超小型MSOP8L/SOP8L封装和最少的外部元器件需求使芯片易于整合至有限的电池包里。MX1051是2至5节锂电池二次保护芯片,MX1051提供MSOP8L和SOP8L二种封装。 MSOP8L/SOP8L MX10512串,3串,4串或者5串二次保护芯片
MX1014是11/12/13/14节锂电池保护芯片 MX1014是11/12/13/14节锂电池保护芯片, MX1014提供TSSOP30封装。MX1014内置高精度电压检测电路和延时电路进行电压、电流以及温度的监控,保证Pack安全。 此外,MX1014具有0V充电功能,提升Pack使用寿命。MX1014具有三种工作模式:正常模式、休眠模式和关机模式。当任意电芯处于低容量状态 时, MX1014进入休眠模式来降低系统功耗 TSSOP30 MX1014 11/12/13/14节锂电池
MX1010 七/八/九/十节锂电池保护芯片 MX1010内置高精度电压检测电路和延时电路进行电压、电流以及温度的监控,保证Pack安全。 此外,MX1010具有0V充电功能,提升Pack使用寿命。MX1010具有三种工作模式:正常模式、休眠模式和关机模式。当任意电芯处于低容量状态 时, MX1010进入休眠模式来降低系统功耗。MX1010提供SSOP28封装。 SSOP28 MX1010 7/8/9/10节锂电池
MX1007是六七节锂电池保护芯片 MX1007是六七节锂电池保护芯片,MX1007内置高精度电压检测电路和延时电路进行电压、电流以及温度的监控,保证Pack安全。 此外,MX1007具有0V充电功能,提升Pack使用寿命。MX1007 具有三种工作模式:正常模式、休眠模式和关机模式。当任意电芯处于低容量状态 时, MX1007进入休眠模式来降低系统功耗。MX1007提供TSSOP20封装。 20-pin TSSOP MX1007 6/7节锂电池
NS2157 NS2157是一款针对广泛便携式应用中所用单节锂离子和锂聚合物电池的紧凑、灵活、高效、支持USB开关模式充电管理的芯片。NS2157 分四个阶段对电池进行充电:激活、涓流、恒定电流和恒定电压。输入电流被自动限制在主机设定的值上。根据电池电压和用户可选最小电流水平,充电被终止。NS2157 采用专有的 EMI 抑制技术,最大限度降低 EMI。同时提供丰富的 EMI 相关寄存器配置,来满足不同客户的需求。NS2157 采用 20 引脚 WCSP 封装和 20 引脚 QFN 封装。 QFN20/WCSP NS2157
CST223 CST223(单按键触摸开关)是一款单按键触摸及接近感应开关,其用途是替代传统的机械型开关。CST223采用CMOS工艺制造,结构简单,性能稳定。CST223通过引脚可配置成多种模式,可广泛应用于灯光控制、玩具、家用电器等产品。,CST223提供SOT23-6封装 SOT23-6 CST223
FM8254 FM8254是内置高精度电压检测电路和延迟电路的 3/4 节串联用锂离子可充电池保护 IC。FM8254采用高耐压元件:绝对最大额定值 26V。 FM8254宽工作电压范围:3V~24 V ,宽工作温度范围:−40~+85°C 。FM8254在低消耗电流 工作时 40 μA 最大值 (+25°C) ,休眠时 0.1 μA 最大值 (+25°C)。FM8254提供TSSOP-16封装 TSSOP-16
NS4830 NS4830是一款AB/D类工作模式可切换,电容式升压型,5.3W高效率的单声道音频功放。NS4830具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率。NS4830 在4.2V的工作电压时,能够向4Ω负载提供高达5.3W的输出功率。NS4830内置过热保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。NS4830提供ESOP10封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 ESOP10 NS4830
HYG090N06LS1C2 HYG090N06LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET,HYG090N06LS1C2是60V/60AN的沟MOSFET/RDS(ON)= 7.7 mΩ(typ.)@VGS = 10V 、RDS(ON)= 11.8 mΩ(typ.)@VGS = 4.5V/HYG090N06LS1C2丝印G090N06,HYG090N06LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。 PDFN5*6-8L HYG090N06LS1C2.pdf
HYG013N03LS1C2 HYG013N03LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET,HYG013N03LS1C2是30V,150A的N沟MOSFET/ RDS(ON)= 1.3mΩ (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.0mΩ (typ.) @VGS = 4.5V/HYG013N03LS1C2丝印G013N03,HYG013N03LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。 PDFN5*6-8L HYG013N03LS1C2
HYG025N06LS1D HYG025N06LS1D是N沟道增强型功率MOSFET,HYG025N06LS1D是60V,160A的N沟MOSFET/RDS(ON)= 2.6 mΩ (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 3.8 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V/HYG025N06LS1D丝印G025N06,HYG025N06LS1D提供TO-252-2L封装。 TO-252-2L HYG025N06LS1D
TC118S TC118S是一款单通道内置功率 MOS 全桥驱动。 TC118S具有驱动前进、后退、停止及刹车功能,内置迟滞热效应过热保护功能 低导通电阻(1.6Ω),最大连续输出电流可达 1.8A,峰值 2.5A .TC118S采用 。DIP-8、SOP-8 封装形式 DIP-8/SOP-8

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